رسانندگی الکتریکی نانولوله‌های کربنی و نیترید بور آرمچیر در مدل تنگ‌بست

رسانندگی الکتریکی گرافین و نیترید بور دو لایه در مدل تنگ بست

در این پایان نامه ما رسانش الکتریکی گرافین تک لایه با گرافین دو لایه را بررسی می کنیم و همچنین رسانش الکتریکی برای حالتی که در یکی از لایه ها به جای اتم ها کربن نیترید بور قرار دارد تکرار می کنیم نتایج را برای دو حالت که صفحه ها به صورت ساده و برنال روی هم قرار گرفته اند بررسی می کنیم . نمودار های چگالی حالت و رسانش الکتریکی مربوط به آنها را مورد تجزیه و تحلیل قرار می دهیم. برای بررسی این موضوع...

رسانندگی الکتریکی نانو نوارهای گرافینی آرمچیر

از آنجا که ساختارهای کربنی اغلب دارای خواص اعجاب انگیزی هستند، همیشه بررسی رفتارهای الکترونیکی آنها دارای اهمیت بوده است. یکی از این ساختارهای کربنی، نانونوارهای کربنی آرمچیر هستند که در این پایان نامه به بررسی آنها می پردازیم. نانونوارها را میتوان بصورت برشی از یک لایه گرافین فرض کرد که دارای یک عرض مشخص است اما از دوطرف تا بینهایت ادامه دارد. ما در این پایان نامه، 7 نوار مختلف با عرضهای متفا...

اثرات ناخالصی الکتریکی روی رسانندگی نانولوله های کربنی تک دیواره ای نوع آرمچیر در حضور میدان الکتریکی

در این پژوهش،اثرات ناخالصی و میدان الکتریکی عمودی بر خواص الکترونی نانولوله های کربنی تک دیواره ای نوع آرمچیر مطالعه شده است. در محاسبات از هامیلتونی تنگ بست، رهیافت تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور استفاده می شود. چگالی حالت الکترونی و رسانندگی الکترونی نانولوله های کربنی به ازای مقادیر معین از ناخالصی بورون و نیتروژن و همچنین در حضور میدان الکتریکی عمود بر محور نانولوله محاسبه شده اس...

تاثیرات آلاییدگی نانولوله کربنی به عنصر بور از نگاه طیف سنجی و رسانندگی الکتریکی (حسین حسن بوذری1* ، لاله فرهنگ متین2 ، رسول ملک فر3 ، عزیزاله شفیع خانی4)

دراین پژوهش با توجه­به کاربردهای فراوان نانولوله­های­کربنی درقطعات نانویی الکترونیک، طیف سنجی پراکندگی رامان نانولوله­های کربنی ­بررسی­شده است. در ابتدا به­صورت تجربی طیف رامان نانولوله کربنی خالص وآلاییده مورد بحث قرارگرفته و سپس طیف شبیه سازی نظری بیان­شده و نتایج مقایسه­شده­است.     با­توجه­به طیف­های به­دست­­آمده، در مقایسه با داده­های تجربی تطابق خوبی مشاهده شده­است. درنانولوله­کربنی­خالص،...

رسانندگی الکتریکی نظریه QCD غیرتعادلی

در این مقاله رسانندگی الکتریکی یک سیستم ناپایدار نظریة QCD در دمای پایین بررسی شده است. یک راه مطالعه چنین سیستم‌هایی، اعمال یک میدان الکتریکی وابسته به زمان و بررسی رفتار زمانی خارج از تعادل سیستم است. اعمال میدان الکتریکی باعث تولید زوج‌های کوارک و آنتی کوارک از فاز محبوس QCD و ایجاد یک جریان الکتریکی می‌شود. با استفاده از رابطة بین شدت میدان الکتریکی اعمال شده و جریان الکتریکی حاصل از آن می‌...

بررسی و پیشبینی مدول یانگ در نانولولههای کربنی تک لایه با بهکارگیری شبکههای عصبی مصنوعی